网站首页 > 产品中心 > 半导体应用 > 光刻晶圆

技术规格展示

制程

能力及精度

光刻胶涂布

旋涂

胶厚精度≤3%

(适用于平面)

光刻胶涂

喷涂

胶厚精度≤10%

(适用于平面/凹凸面)

光刻

精度 2um

套准精度:0.15um

显影

精度2um

显影均匀性<5%

蚀刻

尺寸散差 ±1um

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